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Acquisition of Saint-Gobain Silicon Carbide business by OpenGate Capital Learn More
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炭化ケイ素製造工程

炭化ケイ素製造工程

炭化ケイ素(SiC)は、一般的にアチソン法(1891年にこの方法を発明したアメリカ人、E.G. Acheson氏にちなんで名付けられました)により電気抵抗炉で製造される合成鉱物です。 アチソン炉において、炭素材(通常、石油コークス)とケイ砂または石英砂の混合が1700~2500℃の範囲の高温で化学的に反応し、主要な反応後に、α-SiCの形成をもたらします。

 

SIC formulation



反応に要するエネルギーは、火炉の両端にある2つの電極に炉心を接続することで炉心黒鉛の抵抗加熱が発生することにより生成されます。

SiCは、内側の黒鉛から、α-SiC(粗い結晶構造の最高級材料)、β-SiC、冶金級、そして最終的に外側の未反応材料にわたる放射状の層をもつ、炉心の周囲に固形のシリンダー状インゴットとして、S原材料の品質により、黒色または緑色のいずれかに生成されます。

冷却期間後、SiCインゴットは、的確に分類され、さまざまな使用のために更に処理されます。SiCの原料は慎重に粉砕、分類、時に再粉砕し、使用の際に求められる特性を得るために、必要に応じて化学的に処理されます。このような一連の処理ステップは、弊社のノウハウおよび弊社が製品に付加する価値の大部分を構成しています。

炭化ケイ素の特性

SiCは、極めて優れた硬度をもつセラミックス原料であり、その硬度を上回るものは、ダイアモンド、立方晶窒化ホウ素および炭化ホウ素のみとされています。 材料は、高い耐摩耗性をもち、すべてのアルカリおよび酸に対して化学的に不活性であり、高い耐熱性も備えています。このような特性により、炭化ケイ素は、極限の運転条件下で使用するための極めて優れた研磨・セラミックス材料になっています。

  • 密度:3.21 g/cm3
  • ヴィッカース硬度:29 GPa
  • 熱膨張係数:5·10-6/K
  • 熱伝導率:50~100 W/m K
  • 典型的な温度耐性:1500°C(空気中)、2400°C(不活性雰囲気)
  • 比熱:750 J/kg K
     

製造工程

silicon carbide production process

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サンゴバンSiCは、
サンゴバンセラミックマテリアルズの一部門です。

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SAINT-GOBAIN
SILICON CARBIDE

Les Miroirs
18, avenue d'Alsace
92400 Courbevoie (FRANCE)

SIKA_emea@saint-gobain.com

 

 

© Copyright Saint-Gobain 2017. 不許複製・禁無断転載

さまざまな種類の建物における、サンゴバンの健康や福祉の向上に関する新たな手法の詳細については、弊社ウェブサイトをご覧ください。www.multicomfort.com.

Acquisition of Saint-Gobain Silicon Carbide business by OpenGate Capital

Dear Visitor,

We are thrilled to announce the acquisition of the Silicon Carbide business by OpenGate Capital. OpenGate is a leading global private equity firm specialized in corporate carve-outs.

The new company name will be Fiven. You can still contact us through this site and the phone numbers / email addresses known to you for the moment. We are eagerly working on a new website and will be happy to welcome you as a visitor soon on www.fiven.com.

If you are looking for information on Saint-Gobain Silicon Carbide India please go to: https://www.grindwellnorton.co.in/silicon-carbide-business